- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/1158 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés
Détention brevets de la classe H01L 27/1158
Brevets de cette classe: 75
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Kioxia Corporation | 9847 |
14 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
13 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
10 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
7 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
6 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
5 |
Renesas Electronics Corporation | 6305 |
2 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
2 |
United Microelectronics Corp. | 3921 |
1 |
IMEC VZW | 1410 |
1 |
Toshiba Memory Corporation | 255 |
1 |
Sunrise Memory Corporation | 192 |
1 |
GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 734 |
1 |
Intel NDTM US LLC | 373 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |