• Sections
  • H - électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/1158 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés

Détention brevets de la classe H01L 27/1158

Brevets de cette classe: 75

Historique des publications depuis 10 ans

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2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Kioxia Corporation
9847
14
Sandisk Technologies LLC
5684
13
Micron Technology, Inc.
24960
10
SK Hynix Inc.
11030
10
Samsung Electronics Co., Ltd.
131630
7
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
36809
6
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
1940
5
Renesas Electronics Corporation
6305
2
Macronix International Co., Ltd.
2562
2
United Microelectronics Corp.
3921
1
IMEC VZW
1410
1
Toshiba Memory Corporation
255
1
Sunrise Memory Corporation
192
1
GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.
734
1
Intel NDTM US LLC
373
1
Autres propriétaires 0